MJE243

MJE243

Tranzistoare complementare din plastic de putere siliciu

Aceste dispozitive sunt proiectate pentru amplificatoare audio de putere redusă și aplicații de comutare cu curent scăzut și de mare viteză. Caracteristici

• Tensiune mare de susținere a colectorului-emițător − VCEO(sus)= 100 Vdc (Min)

• Câștig de curent continuu ridicat la IC = 200 mAdc hFE= 40−200 = 40−120

• Tensiune scăzută de saturație colector-emițător − VCE(sat)= 0,3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc

• Produs de lățime de bandă cu câștig de curent ridicat − fT= 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

•Constructie anulara pentru scurgeri reduse ICBO= 100 nAdc (Max) @ VCB nominal